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AKE的HG106A砷化镓线性霍尔效应IC采用电子迁移率比硅大5～6倍 的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体材料中的贵族”，原因就是砷化镓制成的半导体器件相对于传统的硅半导体具有高频、高温、低温性能 好、噪声小、抗辐射能力强等优点，这就使得使用该材料制作的霍尔线性器件具有更高的性和稳定性，更适合用于安全性、速度要求更高的领域（诸如安防、精 密设备制造等）。器件内部集成了电压调整器，霍尔电压发生器，线性放大器和射极跟随器组。HG106A处于零磁场环境是输出端静电压为零，当南极磁场靠近器件表面是，输出静电压随着磁场强度的增加而线性增加；反之，当南极磁场远离器件表面时，输出静电压随着磁场强度的增加而线性递减。
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![[HG106A霍尔]](https://china-bs-img.coovee.com/biginfopic/2014-9/02_15_45_44_109.jpg?x-image-process=style/210_210)
